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盘点02专项成果:中芯/华虹/长电“芯”成绩一览

2021-07-22 00:59上一篇:聚焦高效前沿技术晋能科技与业界大咖共同探索产业发展脉动 |下一篇:没有了

本文摘要:长电科技自2009年来,长电科技分担根本性专项五项,利用专项的实行,掌控了国际先进设备PCB技术,还包括WLCSP、WAaferBumping、FC、铜线工艺等十大PCB技术,与国际封测主流技术实时。特别是在是十二五产业化项目研发的具备自律知识产权的高密度铜柱凸块技术早已沦为未来十年先进设备PCB的基本单元技术,最后构建大于线宽9um,大于线距7um的布线能力并构建规模化生产,该成果为中国封测业扣上“技术落后”帽子的重要性一步。

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长电科技自2009年来,长电科技分担根本性专项五项,利用专项的实行,掌控了国际先进设备PCB技术,还包括WLCSP、WAaferBumping、FC、铜线工艺等十大PCB技术,与国际封测主流技术实时。特别是在是十二五产业化项目研发的具备自律知识产权的高密度铜柱凸块技术早已沦为未来十年先进设备PCB的基本单元技术,最后构建大于线宽9um,大于线距7um的布线能力并构建规模化生产,该成果为中国封测业扣上“技术落后”帽子的重要性一步。目前长电科技早已沦为全球仅次于的集成电路WLCSPPCB基地,同时也是全球第四大晶圆凸块PCB基地。02专家组专家、国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟秘书长于燮康讲解说道,通过02专项应用于工程的实行,在长电科技创建了国产高端封测设备和材料检验平台,构成了“下家考核上家、系统考核部件、应用于考核技术、市场考核产品”的成果评价方式,有力地增进封测产品与设备、材料制造商之间在工艺、技术创新上构成有效地同步、超过“无缝融合”,进而造就整个集成电路产业及与之相关联产业的更进一步发展,构建多方共赢,协助了国内封测企业增加设备、材料的购置费,成本上升大约30%,在一定程度上挽回了倚赖进口设备和材料的局面,推展了我国集成电路设备及材料的国产化。

上海华虹在02专项反对下,华虹宏力坚决领先的差异化特色工艺,产学研用紧密结合,已完成了8英寸特色工艺全面布局,沦为世界第一大智能卡IC代工厂和全球仅次于的功率器件8英寸代工厂;加快了IGBT、MEMS等工艺技术的研发。(1)130-90纳米嵌入式存储器多款产品的主要技术指标皆超过了同期世界水平,普遍应用于和熊智能卡(还包括SIM卡、金融IC卡)、微处理器(MCU)和智能电网等。目前,智能电表国内市场占有率约40%以上,SIM卡全球市场占有率约30%。

项目总计销售已多达40亿元。(2)IGBT和超级结创建了先进设备的背面晶圆加工能力,是目前国内唯一享有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工厂,场累计型IGBT技术参数可媲美国际领先企业,构建了大规模量产。

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顺利研发了国际先进设备的浅沟槽填满型超级结系列产品,其中深沟漕运技术打破了国外主流生产工艺水平,总计销售多达20万片。(3)MEMS联合国内设计公司,发售了全球大于的COS-MEMS单芯片构建气压计和世界首款AMG和ASIC构建的三轴单芯片磁传感器,空缺了国内的磁传感器空白,超越了外国供应商的长年独占,构建了大规模量产。中芯国际在02专项反对下,中芯国际生产能力和技术研发获得突破性进展,成套工艺水平由2008年的110纳米提高到28纳米,已完成65-45-28纳米成套工艺研发并构建量产:65/55纳米产品总计销售多达180亿元,40/45纳米产品总计销售多达100亿元,2015年32/28纳米工艺开始量产高通骁龙系列产品,产品总计销售多达180亿元,2016年28纳米低K金属栅工艺(HKMG)顺利流片,报请联芯4G移动终端AP产品认证;14纳米研发取得突破;2017年牵头中科院微电子所等单位开始了“7-5纳米集成电路先导工艺与系统集成新技术”的研发。

中芯国际作为行业龙头企业,不仅全面遵照“02”专项用户考核制”,为国产材料、装备及零部件获取公共检验平台,更加根据集成电路大规模生产的特点和拒绝,积极主动帮助设备材料企业积极开展技术研制成功,造就国产材料、装备及零部件检验和应用于,获得了一大批精辟市场检验可以参予国际竞争的优秀成果产品。公共检验平台覆盖面积350纳米到28纳米所有制程。


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